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      石墨沉積碳化硅基座是在晶圓(wafer)表面沉積半導體薄膜材料的過程中,用以承載晶圓的部件,主要用于金屬有機物化學氣相沉積(Metal Organic Chemical Vapor Phase Deposition,簡稱MOCVD)設(shè)備中。該產(chǎn)品的基體材料為高純石墨,表面有一層厚度約110μm±15μm的致密碳化硅膜層,該膜層通過化學氣相沉積(Chemical Vapor Phase Deposition,CVD)工藝獲得,其作用是避免在高溫條件下因石墨基體放氣而造成對晶圓的污染,并提高石墨基體的抗熱震性、抗氧化性、機械強度和抗化學氣體腐蝕性。本研究采用選用了一種高致密度、高純石墨作為基體,其熱膨脹系數(shù)接近碳化硅;采用一甲基三氯硅烷(CH3Si Cl3,簡稱MTS)為氣源,H2為載氣,在一定爐壓、溫度等工藝參數(shù)條件下,在石墨基體表面生成了高純、致密均勻、無缺陷的碳化硅膜層,并對膜層的微觀結(jié)構(gòu)、化學成分和膜層質(zhì)量進行了觀察、分析和評價。

      應(yīng)用于半導體、集成電路、平板薄膜顯示、LED芯片、光伏太陽能、光學光通信、光磁存儲、電子封裝、電動新能源、Low-E玻璃、裝飾鍍膜、工具鍍膜等領(lǐng)域。